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近日，扬杰科技发布公告称，公司与扬州市邗江区政府签署《6英寸碳化硅晶圆项目进园框架合同》，公司拟在邗江区政府辖区投资新建6英寸碳化硅晶圆生产线项目，总投资约10亿元，分两期实施建设，项目全部建成投产后，形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片／月。

作为第三代半导体材料的核心，碳化硅与传统的硅半导体相比，具有宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，可以在更高温度、更高电压、更高频率和更高辐射环境下工作，并具有更高的耐用性和可靠性，在汽车、工业、IT及消费电子等多个领域的应用中有替代硅基器件的潜力，未来前景广阔。近年来，在全球“碳达峰、碳中和”的大背景下，新能源汽车、光伏等市场景气度高企，对碳化硅产品的市场需求日益强烈，驱动碳化硅器件加速导入和发展，进一步打开了碳化硅的市场空间。

据悉，扬杰科技较早地布局了第三代半导体产业，已涉足碳化硅产品研发设计多年，形成了多项专利等知识产权，已成功开发并向市场推出SiC模块及650V SiC SBD、1200V系列SiC SBD全系列产品，SiC Mosfet已取得关键性进展，后续拟进一步布局6－8英寸碳化硅芯片生产线建设。若本次合作框架合同能实施落地，有利于充分发挥公司的技术研发、运营管理及客户资源等核心优势，及扬州产业支持政策、区位条件等优势，帮助公司抓住碳化硅市场发展的良好机遇，加速提升公司碳化硅产品的技术水平和实现产品升级，有助于将公司打造成为碳化硅领域具有行业影响力的上市公司，推动公司积极转型升级向高端制造业迈进，为功率器件国产化贡献力量。

扬杰科技还表示，本框架合同签署预计对公司2023年度经营业绩不会构成重大影响，对公司未来年度经营业绩的影响视双方具体合作的推进和实施情况而定。